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其包括设于气流导向装 置(20)底部的中轴孔(2-1)，设于所述中轴孔(2-1)两侧的一对电 极孔(2-2)，以及设于所述中轴孔(2-1)两侧并与该炉的排气口 (13)相 对的通气孔(2-3)，该炉的石墨中轴(21)穿过所疼气流导向装置(20) 的中轴孔(2-1)，该炉的一对电极柱(15)分别穿过所述电极孔(2-2)， 该炉的排气口 (13)与气流导向装置(20)的各通气孔(2-3)相连通。

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LL9Z-T336系列行程关LL9Z-T335系列行程关LL9Z-T355系列行程关LXP1-100系列行程关LXP1-120系列行程关LXP1-303系列行程关LXP1-404系列行程关LL8E100系列行程关LL9Z-T236系列行程关LLJW65系列行程关LL3XCKP系列行程关LL3XCKT系列行程关.。不仅硅单晶生长顺利，而且品质较高，如果热场的温度分布不是很合理，生长硅单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资硅单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场，从而保生产出来的硅单晶的品质。在直拉硅单晶生长工艺中，一般采用温度梯度来描述热场的温度分布情况。设计与编辑在直拉法生长硅单晶的过程中其中在固液界面处的温度梯度为关键。硅单晶生长的成与否以及质量的高低是由热场的温度分布决定的。温度分布合适的热场数值模拟是在一个低成本的情况下所以数值是一种达到较高生产率和较好满足市场对晶体直径。不需要率因数补偿装置。3，计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI人机界面，高像素CCD测径ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。